F-IET(4971)併購Soitec成功打入汽車防撞雷達UMS供應鏈,今年營收比重將顯著拉高,在5G設備建置、美國客戶Skyworks非行動裝置訂單挹注下,法人估今年EPS上看6元。股價自前高76.8元壓回整理,回測20日線,後續待量能放大,才有利多方轉強,下檔支撐看69-71元。
- 2月 02 週一 201520:29
F-IET(4971)併購Soitec成功打入汽車防撞雷達UMS供應鏈
- 1月 21 週三 201511:16
隨行動通訊的發達、5G量測設備的建置及物聯網時代來臨,估英特磊業績今年將較去年長10~25%。
F-IET英特磊 (4971) 去年12月合併營收為6579.3萬元,年增33.3%,累計2014年合併營收6.56億元,較前年增加15.02%。隨著行動通訊持續成長、5G量測設備的建置及物聯網時代的來臨,法人預估,英特磊今年業績將較去年成長10~25%。由於業績看好,今天盤中股價強勢大漲。
F-IET去年成功完成法國Soitec合併案,Skyworks產品訂單由手機應用成功移轉至非手機應用,加上銻化鎵產品保持成長動能,2014年營收達6.56億元,較前年成長15.02%。F-IET表示,公司去年在砷化鎵產品的兩大布局順利完成,其中Soitec合併案讓公司打開歐洲市場,目前設備及客戶的移轉皆順利進行,公司與各客戶間均達成長遠合作的共識。
F-IET去年成功完成法國Soitec合併案,Skyworks產品訂單由手機應用成功移轉至非手機應用,加上銻化鎵產品保持成長動能,2014年營收達6.56億元,較前年成長15.02%。F-IET表示,公司去年在砷化鎵產品的兩大布局順利完成,其中Soitec合併案讓公司打開歐洲市場,目前設備及客戶的移轉皆順利進行,公司與各客戶間均達成長遠合作的共識。
- 12月 16 週二 201412:07
F-IET美國客戶SKYWORKS非行動裝置訂單及防撞雷達訂單,在三箭齊發下,全年營收有信心超過2成。
III-V族化合物磊晶廠F-IET英特磊 (4971) 公佈11月業績,受惠汽車防撞雷達訂單挹注下,營收為5140萬元,年增21.8%,月減5.7%,累計前11月營收5.9億元,年增13.36%。總經理高永中表示,明年在5G設備建置、美國客戶SKYWORKS非行動裝置訂單及防撞雷達訂單,在三箭齊發下,全年營收有信心超過2成。
高永中指出,明年整體環境提供英特磊相當有利,主要在於法國Soitec合併案相當成功,目前已通過主要高毛利客戶的認證並且出貨中,其中汽車防撞雷達客戶UMS,更為併購案中的亮點,由於汽車產業鏈需經車商多年的認證,才有機會進入供應鏈。
據了解UMS供應全球80-90%的防撞晶片供應,目前F-IET是唯一供應商,未來汽車防撞雷達成為各車商的標配時,F-IET英特磊營收機會維持高度成長,法人估計明年公司營收將會有2成以上成長,獲利將優於今年。
高永中指出,明年整體環境提供英特磊相當有利,主要在於法國Soitec合併案相當成功,目前已通過主要高毛利客戶的認證並且出貨中,其中汽車防撞雷達客戶UMS,更為併購案中的亮點,由於汽車產業鏈需經車商多年的認證,才有機會進入供應鏈。
據了解UMS供應全球80-90%的防撞晶片供應,目前F-IET是唯一供應商,未來汽車防撞雷達成為各車商的標配時,F-IET英特磊營收機會維持高度成長,法人估計明年公司營收將會有2成以上成長,獲利將優於今年。
- 5月 28 週三 201410:58
FIET 第2季砷化鎵產品需求在5月初將略有回升
F-IET(英特磊) (4971) 5/8 日召開業績發表會,總經理高永中表示,今年物聯網、光通訊產業加持下,對營運相當樂觀,有信心逐季成長,公司未來將往高端產品發展,提高毛利率,追求獲利成長幅度大於營收成長,並預估全年營收成長5-15%。
高永中指出,首季因砷化鎵產品平均毛利較低,對整體獲利衝擊比重不大,但第2季砷化鎵產品需求在5月初將略有回升,公司對第2季營運相當樂觀。
高永中表示,其中砷化鎵磊晶片部分,與Soitec公司策略聯盟及技術授權進行良好,跟大廠認證進度正常,同時深耕非行動通訊的高端高速的產品需求,例如汽車防撞雷達、高速光纖(>40G)通訊、與衛星通訊晶片等產品,
高永中指出,首季因砷化鎵產品平均毛利較低,對整體獲利衝擊比重不大,但第2季砷化鎵產品需求在5月初將略有回升,公司對第2季營運相當樂觀。
高永中表示,其中砷化鎵磊晶片部分,與Soitec公司策略聯盟及技術授權進行良好,跟大廠認證進度正常,同時深耕非行動通訊的高端高速的產品需求,例如汽車防撞雷達、高速光纖(>40G)通訊、與衛星通訊晶片等產品,
- 3月 20 週四 201416:30
今年美國國防部與英特磊續約每年約200萬美金的合約
F-IET英特磊 (4971) 宣布,公司與美國國防部簽署重要合約,供應美國國防部銻化鎵紅外線(Infrared或IR)磊晶片,做為強化及發展國防設備使用。
由於銻化鎵為三五族化合物半導體,相較於原先用在紅外線設備上的二六族,三五族可將陣列型(Focal Plane Array或FPA)紅外偵測器做得更大,如此一來,便可大幅提升紅外線設備的影像解析度,近年來被廣泛運用於高端紅外線設備中。目前英特磊成功發展出的世界首片6吋銻化鎵晶片,已超越原先美國國防部所要求的5吋研發標的,其品質也受肯定;今年美國國防部與英特磊續約每年約200萬美金的合約,連續兩年,並將其運用在夜視鏡、衛星通訊、國土監控、及太空軍事等相關項目中;此外,英特磊由美國太空總署-NASA支持的SBIR二期計畫,也獲得認同,並追加撥款延長計畫之服務項目。
由於銻化鎵為三五族化合物半導體,相較於原先用在紅外線設備上的二六族,三五族可將陣列型(Focal Plane Array或FPA)紅外偵測器做得更大,如此一來,便可大幅提升紅外線設備的影像解析度,近年來被廣泛運用於高端紅外線設備中。目前英特磊成功發展出的世界首片6吋銻化鎵晶片,已超越原先美國國防部所要求的5吋研發標的,其品質也受肯定;今年美國國防部與英特磊續約每年約200萬美金的合約,連續兩年,並將其運用在夜視鏡、衛星通訊、國土監控、及太空軍事等相關項目中;此外,英特磊由美國太空總署-NASA支持的SBIR二期計畫,也獲得認同,並追加撥款延長計畫之服務項目。
- 3月 18 週二 201412:11
宏捷科成為砷化鎵族群黑馬!
砷化鎵產業首季仍為淡季,但宏捷科 (8086) 前2月的業績表現,單月平均約8500萬元,優於上季單月平均7500萬元水準,而年增率達10.77%,以年增率來看,明顯優於龍頭穩懋 (3105) 年減4成。法人指出,宏捷科因為在大陸市場佈局效益浮現,「從2G吃到4G」,讓整體營運率先突圍,成為砷化鎵族群黑馬!
2月受到農曆春節假期工作天數減少影響,加上原本就是產業淡季,砷化鎵族群多預估2月為今年谷底。但以穩懋前2月營收10.89億元,年減40.99%,全新 (2455) 前2月營收2.53億元,年減24.23%,相較之下,宏捷科前2月1.69億元,年增率10.77%,表現最為突出。
2月受到農曆春節假期工作天數減少影響,加上原本就是產業淡季,砷化鎵族群多預估2月為今年谷底。但以穩懋前2月營收10.89億元,年減40.99%,全新 (2455) 前2月營收2.53億元,年減24.23%,相較之下,宏捷科前2月1.69億元,年增率10.77%,表現最為突出。
- 2月 06 週四 201413:24
F-IET交出2.5%的營收年增率,顯見工規應用元件的成長穩定性高於消費型產品。
- 1月 22 週三 201412:01
F-IET擁有領先同業技術,避開砷化鎵之紅海戰場
- 12月 13 週五 201310:44
F-IET (4971) 美國子公司與法國soitec公司簽署合作協議,以拓展技術與產品領域,並擴充產能。
F-IET (4971) 美國子公司與法國soitec公司簽署合作協議,以拓展技術與產品領域,並擴充產能。
協議將可滿足客戶尋求可信賴的第二產品供應商的需求,同時也可讓彼此公司在各自的砷化鎵產品領域保持領先地位,客戶也可受惠於較低價與優質的磊晶片供應來源。該合作協議包括soitec對英特磊科技技術授權,讓英特磊科技擁有擴展市場的機會,合作協議也包含生產機台的轉讓。(編輯整理:張嘉倚)
Soitec為電子和能源行業半導體材料生產製造商,提供絕緣層上覆矽(SOI)晶圓,用於IC製造,公司總部位於法國Bernin,在法國、新加坡、德國和美國都設有製造工廠和研發中心,台灣也有分公司。
協議將可滿足客戶尋求可信賴的第二產品供應商的需求,同時也可讓彼此公司在各自的砷化鎵產品領域保持領先地位,客戶也可受惠於較低價與優質的磊晶片供應來源。該合作協議包括soitec對英特磊科技技術授權,讓英特磊科技擁有擴展市場的機會,合作協議也包含生產機台的轉讓。(編輯整理:張嘉倚)
Soitec為電子和能源行業半導體材料生產製造商,提供絕緣層上覆矽(SOI)晶圓,用於IC製造,公司總部位於法國Bernin,在法國、新加坡、德國和美國都設有製造工廠和研發中心,台灣也有分公司。
- 12月 09 週一 201311:38
F-IET 下游全新係以有機金屬化學氣相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)技術專業生產Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體磊晶片
全新(2455)係以有機金屬化學氣相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)技術專業生產Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體磊晶片,而所謂半導體(semiconductor)就是導電性介於導體(conductor)與絕緣體兩極端值之間的材料,其特點在於可以適量加入不同的雜質以改變材料特性(就是所謂的摻雜),並經由熱與光的應用而得到重大改變。因 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗天然輻射、能源使用率佳、能階帶可調整及電子移動速度快等優點,而發展為近年無線通訊、光纖通訊、太陽能電池及光顯示之關鍵組件。
