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台積電 (2330) 開放創新平台生態論壇（TSMC OIP Ecosystem Forum）上周在美國聖荷西（San Jose）登場，台積電技術長孫元成會中指出，台積電20奈米已進入生產階段，超過25個晶片完成設計定案（tape-out）。同時，預計2015年進入量產的16奈米已有逾30個晶片設計案到手，明年20奈米產能拉升（ramp up）速度及獲得的設計案將優於28奈米。

此次台積電董事長張忠謀並未參加論壇，是以錄影對與會合作夥伴及客戶發表演說。張忠謀表示，看到更多的機會，但要爭取機會之窗已愈來愈小，未來須面對的產業壓力包括更多的投資、更大的複雜度等，需要用專業去解決這些問題。張忠謀期許台積電及合作夥伴彼此之間要更具競爭力，才能在這場戰役中去贏得勝利。

此次論壇已有客戶表明將導入台積電20奈米及16奈米，包括甲骨文（Oracle）開發的超級伺服器處理器SPARC M7、賽靈思（Xilinx）新一代可程式邏輯閘陣列（FPGA）、阿爾特拉（Altera）最新傳輸晶片、以及高通的手機晶片等。當然業界也指出，蘋果A7及A8系列64位元ARM架構應用處理器，同樣採用台積電20奈米或16奈米投片生產。

台積電20奈米是首次採用雙重曝光（double patterning）微影技術的新製程，設計流程與28奈米大不相同，不同於28奈米世代針對不同的晶片提供4種不同製程，20奈米僅提供1種系統單晶片製程（20SoC），16奈米也只提供1種鰭式場效電晶體（FinFET）製程。

根據台積電提供資料，20奈米閘極密度是28奈米的1.9倍，在相同功耗下運算速度可增加15％，在相同速度下功耗可降低30％，且展示的112M高密度靜態隨機存取記憶體（HD SRAM）自然良率（nature yield）已大於75％。

台積電16奈米研發已經完成，11月將開始進行風險生產，明年底前完成產能建置後，2015年初進入量產階段。台積電16奈米是首次將電晶體改為3D架構，閘極密度是28奈米的2倍，相較於20奈米製程，在相同功耗下可再提升20％速度，在相同速度及類似的閘極密度下可再減少35％功耗，試投的128M大電流靜態隨機存取記憶體（HC SRAM）自然良率同樣大於75％。