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F-IET英特磊 (4971) 宣布，公司與美國國防部簽署重要合約，供應美國國防部銻化鎵紅外線（Infrared或IR）磊晶片，做為強化及發展國防設備使用。 

由於銻化鎵為三五族化合物半導體，相較於原先用在紅外線設備上的二六族，三五族可將陣列型（Focal Plane Array或FPA）紅外偵測器做得更大，如此一來，便可大幅提升紅外線設備的影像解析度，近年來被廣泛運用於高端紅外線設備中。目前英特磊成功發展出的世界首片6吋銻化鎵晶片，已超越原先美國國防部所要求的5吋研發標的，其品質也受肯定；今年美國國防部與英特磊續約每年約200萬美金的合約，連續兩年，並將其運用在夜視鏡、衛星通訊、國土監控、及太空軍事等相關項目中；此外，英特磊由美國太空總署-NASA支持的SBIR二期計畫，也獲得認同，並追加撥款延長計畫之服務項目。

F-IET自結今年1月合併營收為0.43億元，較去年同月成長7.12%。

F-IET亦於去年年底與法國半導體大廠Soitec所簽訂的合作計畫，英特磊總經理高永中博士表示，今年起該計畫已有初步的進展，經過雙方在客戶經營、成本控制、機器維修能力等多項指標評比討論後，共同決定，在未來將逐漸由英特磊主導客戶開發、經營與產品製造。此外，他也說：這項合作將會是英特磊今年一項相當重要的里程碑，藉此不但可以使英特磊產能增加，切入砷化鎵高端產品，保持在砷化鎵產品領域的領先地位，客戶也可購得更穩定且優質的磊晶片。

英特磊表示，在簽訂多項合約後，樂觀看待今年業績。